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上海伯东 KRI 离子源应用
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因产品配置不同，价格货期需要电议，图片仅供参考，一切以实际成交合同为准。
KRI 离子源应用
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性
常见的工艺应用
简称
In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗
PC
Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性
- Surface polishing or smoothing 表面抛光
- Surface nano structures and texturing 改变纳米结构和纹理
- Ion figuring and enhancement 离子刻蚀成形
- Ion trimming and tuning 离子表面优化
- Surface activated bondingIBSM
SABIon Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积
IBAD
Ion Beam Etching 离子蚀刻
- Reactive Ion Beam Etching 反应离子蚀刻
- Chemically Assisted Ion Beam Etching 化学辅助离子蚀刻IBE
RIBE
CAIBEIon Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积
- Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反应离子磁控溅射沉积
- Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏压离子束磁控溅射IBSD
RIBSD
BTIBSDDirect Deposition 直接沉积
- Hard and functional coatings 硬质和功能膜DD
作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.
精密薄膜控制
薄膜为若干单层膜
半导体
可重复使用的金属涂层附着力
蚀刻晶元
刻蚀均匀性和临界几何尺寸
MEMS, 传感器和显示器
表面优化
精密光学
薄膜致密稳定, 折射率优化, 吸收率低
磁数据存储
金属和介质多层堆叠中纳米特性的各向异性和均匀腐蚀
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134
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伯东企业（上海）有限公司是德国普发授权代理商。伯东真空主营产品德国 Pfeiffer 涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵; 应用于各种条件下的真空测量(真空计, 真空规管); 氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryo pump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI 离子源.Gamma离子泵。
